Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica

Autores/as

  • Arsen Ahmed Mohammed Engineering Faculty, Electrical dep, Kirkuk, Iraq
  • Hüseyin Demirel Engineering Faculty, Electrical dep, KARABUK, Turkye
  • Zaidoon Khalaf Mahmood University of Kirkuk, Iraq

DOI:

https://doi.org/10.5377/nexo.v36i06.17445

Palabras clave:

Aislantes de alta constante dieléctrica, Corriente de cortocircuito, Detección eléctrica y química, Convoyar de corriente de voltaje de dispersión mejorada, Transistor de Efecto Campo, Oscilador fraccional, Simulador de inductor aislado sin pérdidas, Filtro pasa-banda

Resumen

En este artículo, integramos un Transistor de Efecto Campo Fin con aislantes de alta constante dieléctrica para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto campo químico que brinden una mayor inductancia (resultando en una mayor relación de transmisión), una amplitud mejorada y resultados basados en sustancias. Se utilizó la detección de pH para probar el diseño. Investigamos la capacidad de respuesta y linealidad de dióxido de silicio, óxido e hafnio como materiales electromagnéticos para la detección de pH, así como su resistencia química en diversos ácidos. La relación de componentes y la forma del transistor de efecto campo Fin permiten corrientes elevadas y un canal de conducción plano más confiable que los nanocables de silicio convencionales. La arquitectura del Transistor de Efecto Campo Fin con hafnio como aislante de alta constante dieléctrica produjo los mejores resultados, con las características más lineales de generación y respuesta, y un rango dinámico más amplio. La estabilidad química del hafnio también fue la mejor. Por lo tanto, creemos que la combinación de Transistores de Efecto Campo Fin con alta constante dieléctrica y una alta relación de componentes puede proporcionar la equidad de proceso óptima para sensores basados en transistores de efecto campo. Los autores proponen una novedosa aproximación de inducción incrustada y continua con un resonador cuaternario. Solo se utiliza un conversor de corriente de voltaje modificado perjudicial, uno de los sintetizadores cuaternarios sugeridos, que utiliza una entrada Z, un rectificador y dos capacitores cruzados. En el emulador de circuito aislado unidireccional previsto, solo se utiliza un alimentador de salida eléctrica dividido personalizado con un electrodo Z único, dos interruptores y el primer capacitor neutro. La simulación de circuito enraizado continúa sugerida solo requiere un criterio de compatibilidad de componente pasivo específico. Además, el simulador de inductor conectado sin pérdidas sugerido produce una aplicación de filtro de anillo. Para ilustrar el rendimiento de todos los circuitos, se realizaron diversas simulaciones utilizando el software LTSPICE, el parámetro Cadence Virtuoso 7nm y análisis de datos.

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Publicado

2023-12-31

Cómo citar

Ahmed Mohammed, A., Demirel, H., & Khalaf Mahmood, Z. (2023). Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica. Nexo Revista Científica, 36(06), 892–905. https://doi.org/10.5377/nexo.v36i06.17445

Número

Sección

Artículo